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Professur Elektronische Bauelemente der Mikro- und Nanotechnik
Professur Elektronische Bauelemente der Mikro- und Nanotechnik
Professur Elektronische Bauelemente der Mikro- und Nanotechnik 

Lehrveranstaltung Elektronische Bauelemente und Schaltungen



Die Einschreibung erfolgt über die OPAL-Plattform, auf der Sie auch weitere Informationen zum Kurs finden.

Studieninhalte

Vorlesungskomplexe
  1. Halbleiterphysikalische Grundlagen
    • Werkstoffeigenschaften
    • Eigenleitende und dotierte Halbleiter, Massenwirkungsgesetz
    • Stromflussmechanismen und Transportgleichung
  2. Halbleiterdioden
    • Wirkungsweise
    • Kennlinie und Kennwerte
    • Dynamisches Verhalten
    • Thermisch - elektrische Wechselwirkungen
    • Ausführungsformen und Anwendungen - Gleichrichtung, Kapazitätsdiode, Z-Diode
  3. Bipolartransistoren
    • Wirkungsweise
    • Grundschaltungen und Kennlinienfelder
    • Ausnutzbarer Kennlinienbereich und Arbeitspunkteinstellung
    • Temperaturverhalten
    • Stabilisierung des Arbeitspunktes
    • Kleinsignalverhalten und Vierpolparameter
    • Kleinsignalverstärker
  4. Unipolartransistoren
    • Übersicht
    • Sperrschicht-Feldeffekttransistor
    • MOS-Transistoren
      • Wirkungsweise und Aufbau
      • Kennlinien
      • Ausführungsformen
    • Arbeitspunkteinstellung
    • Dynamisches Verhalten und Kleinsignalverstärker
  5. Mehrschichtbauelemente
    • Thyristor
    • Wirkungsweise und Kennwerte
    • Grundschaltungen
    • Weitere Ausführungsformen
  6. Bauelemente der Optoelektronik
    • Strahlungssender
    • Strahlungsempfänger und Solarzellen
    • Optokoppler
    • Strahlungsübertragung in Fasern
    • Flüssigkristallanzeigen
  7. Verstärker
    • Operationsverstärker
    • Leistungsverstärker
  8. Schaltkreisfamilien / Mikroelektronik
    • Besonderheiten
    • TTL-Technik
    • CMOS-Technik
  9. Grundschaltungen der Mikroelektronik
    • Kombinatorische Schaltungen
    • Sequentielle Schaltungen
Übungskomplexe
  1. Halbleiterphysikalische Grundlagen
    • Leitfähigkeit, spezifischer Widerstand, Eigenleitung, Dotierung, Störstellenkonzentration, Potenzialdifferenz am pn-Übergang
  2. Halbleiterdiode
    • Diffusionsspannung, Raumladungszone, Sperrschichtkapazität
    • Strom-Spannungskennlinie, Temperaturabhängigkeit der Diodenkennlinie
    • Kapazitätsdiode, Schwingkreisabstimmung
    • Anwendung als Netzgleichrichter und HF-Gleichrichter
    • Z-Diode und Anwendung zur Spannungsstabilisation
  3. Bipolartransistoren
    • Strom-Spannungs-Gleichungen, Temperaturabhängigkeit der Kennwerte
    • Arbeitspunkteinstellung und Arbeitspunktstabilisierung, Gegenkopplung
    • Kleinsignalverhalten, Ersatzschaltbild, Grenzfrequenzen
    • thermisches Ersatzschaltbild
  4. Unipolartransistoren
    • Strom-Spannungs-Gleichungen
    • Arbeitspunkteinstellung und Arbeitspunktstabilisierung
    • Kleinsignalverhalten, Ersatzschaltbild, Grenzfrequenzen
  5. Verstärker
    • Prinzip der Gegenkopplung
    • OPV-Grundschaltungen mit idealem und realem OPV,
    • Berechnung von Eingangswiderständen und Grenzfrequenzen
    • OPV-Schaltung mit ausgewählten Bauelementen in der Rückführung
    • Leistungsverstärker in A- und B-Betrieb
  6. Digitale Schaltkreisfamilien
    • Logische Pegel, Lastfaktor, Störabstand
    • Gatterausgangsstufen, Wired-OR-Verknüpfung
    • Ansteuerbarkeit der Schaltkreisfamilien untereinander
    • Gatterverzögerungszeit und Gatterverlustleistung
  7. Kombinatorische Schaltungen
    • Übungen zur Vereinfachung logischer Funktionen
    • Entwurf kombinatorischer Schaltungen
  8. Sequentielle Schaltungen
    • Grundfunktionen von Flipflops
    • Dynamische Kennwerte von FF's, Voreinstellzeit, Haltezeit, Verzögerungszeit, max. Taktfrequenz
    • Impulsdiagramme sequentieller Schaltungen
    • Entwurf sequentieller Schaltungen
Praktikum
  1. HL-Diode, Gleichrichtung, Stabilisierung: Kennlinien und Eigenschaften von Halbleiter-Dioden, Gleichrichtung, Spannungsstabilisierung mit Z-Diode
  2. Bipolartransistor, Emitterschaltung ohne Rückkopplung: Kennlinienfelder, Untersuchung einer Verstärkerstufe in Emitterschaltung
  3. Schaltungssimulation mit PSPICE: Was bedeutet Simulation einer elektronischen Schaltung? Simulation einer Verstärkerstufe in Emitterschaltung
  4. Der MOS-Feldeffektransistor: Kennlinienverhalten, Spannungsverstärkerstufe in Sourceschaltung
  5. Operationsverstärker: Kennwerte des OPV, Untersuchung verschiedener Grundschaltungen
  6. Digitale Schaltungen mit HCT-Bausteinen: Eigenschaften von Schaltkreisfamilien, kombinatorische und sequenzielle Schaltungen (Schloss, Würfel, Telefon-Besetztzeichen, Impulsdauermessung)

Studiengänge / -gruppen

  • Pflichtfach im 3. und 4. Semester des Bachelor-Studiengangs Elektrotechnik und Informationstechnik (B_ET__3 bzw. B_ET__4)

  • Pflichtfach im 3. und 4. Semester des Bachelor-Studiengangs Elektromobilität und Regenerative Energietechnik (B_ER__3 bzw. B_ER__4)

  • Wahlpflichtfach im 5. und 6. Semester des Bachelor-Studiengangs Physik (B_Ph__5 bzw. B_Ph__6)

  • Wahlpflichtfach im 3. und 4. Semester des Bachelor-Studiengangs Wirtschaftsingenieurwesen - Vertiefungsrichtung Elektrotechnik (B_IWET3 bzw. B_IWET4)

Zeitplan aktuelles Semester

LVWochentagSeminargruppenZeitOrtBeginn
VmittwochsB_ET__3, B_ER__3, B_Ph__5, B_IWET313:45-15:15 UhrC24.20116.10.2024
Üdonnerstags, 1. WoB_ET__3, B_ER__3, B_Ph__5, B_IWET317:15-18:45 UhrC25.01224.10.2024

Lehrmaterialien

Prüfung aktuelles Semester

Termin:Dienstag, den 09.08.2024, 08:00-11:00 Uhr
Raum:C25.012 (alt: 2/W012)
Typ:schriftliche Klausur
zugelassen:Taschenrechner, 1 Blatt (beidseitig, handschriftlich) mit Formeln etc.
Prüfer:Prof. Horstmann, DI Ramsbeck
Aufsicht:DI Loebel