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Professur Elektronische Bauelemente der Mikro- und Nanotechnik
Professur Elektronische Bauelemente der Mikro- und Nanotechnik
Professur Elektronische Bauelemente der Mikro- und Nanotechnik 

Lehrveranstaltung Mikroelektronik



Die Einschreibung erfolgt über die OPAL-Plattform, auf der Sie auch weitere Informationen zum Kurs finden.

Studieninhalte

Vorlesungskomplexe
  1. Einordnung, Begriffsbestimmungen
    • Vor- und Nachteile
    • Integrationsgrad
  2. Bauelemente der Mikroelektronik
    • Halbleitermaterialien
      • Einordnung
      • Gitterstruktur
      • Eigenleitung
      • Störstellenleitung
      • Leitfähigkeit im Halbleiter
        • Einfluss elektrisches Feld
        • Einfluss Dotierung
      • Daten wichtiger Halbleitermaterialien
      • Ergänzung Diffusionsspannung
    • Halbleiterdioden
      • Wirkungsweise
      • Stromdurchflossener pn-Übergang
        • Flussfall
        • Sperrfall
      • Kennliniengleichungen
      • Reale Kennlinie
        • Bahnwiderstand
        • Durchbruch im Sperrbereich
      • Dynamische Eigenschaften
        • Sperrschichtkapazität
        • Diffusionskapazität
        • Kleinsignalersatzschaltbild
        • Großsignal-Schaltverhalten
      • Temperaturverhalten
      • Thermische Belastbarkeit
      • Spezielle Dioden - Einsatzgebiete
        • Gleichrichterdioden
        • Z-Dioden
        • Kapazitätsdioden (Varaktoren)
        • Schottkydioden
        • Tunneldioden
        • PIN-Dioden
    • Bipolartransistoren
      • Aufbau und Wirkungsweise
      • Grundschaltungen und Ersatzschaltbild
      • Kennlinienfelder und Arbeitspunkteinstellung
      • Temperaturverhalten
      • Arbeitspunktstabilisierung
      • Kleinsignalverhalten - Vierpolparameter
        • Ersatzschaltbild mit Hybrid-Parameter
        • Ersatzschaltbild mit y-Parametern (Leitwertparameter)
        • Ersatzschaltbild mit π-Parametern
      • Kleinsignalverstärker
        • Emitterschaltung
        • Basisschaltung
        • Kollektorschaltung
      • Schaltverhalten
    • Unipolartransistoren
      • Sperrschicht-Feldeffekttransistoren (JFET)
      • MOSFETs
      • Aufbau und Wirkungsweise
      • Kennlinien des MOSFET (Enhancement-Typ)
      • Arbeitspunktstabilisierung
      • Temperaturverhalten
      • Kleinsignalersatzschaltbilder
        • Ersatzschaltbild mit y-Parametern (Leitwertparameter)
        • Ersatzschaltbild mit π-Parametern
      • Kleinsignalverstärker (Source Schaltung)
    • Operationsverstärker
      • Prinzipielle Funktion
      • Invertierende und Nichtinvertierende Grundschaltung
      • Transferkennlinie des realen OPV
      • Frequenzkompensation
      • Anwendungsgrundschaltungen
  3. Technologien der Mikroelektronik
    • Klassifizierung
    • Prozessschritte
      • Waferherstellung
      • Schichttechnik
        • CVD-Verfahren
        • Thermische Oxidation
        • PVD-Verfahren
      • Fotolithografie
      • Dotiertechnik
      • Ätztechnik
    • Strukturerzeugung
    • Bipolartechnik
    • MOS-Technik
    • Assembly - Packaging
  4. Integrierte Schaltungstechnik
    • Besonderheiten der integrierten Schaltungstechnik
    • Digitaltechnik
      • Bipolare Schaltkreisfamilien
        • TTL
        • ECL
      • MOS-Technik
      • CMOS-Technik
      • Dynamische Schaltungstechnik
    • Analogtechnik
      • Stromquellen - Stromspiegel
      • Spannungsquellen
      • Verstärker
  5. Wirtschaftliche Aspekte
    • Zuverlässigkeit und Ausbeute
    • Kostenstruktur
Praktikum
  1. HL-Diode Gleichrichtung, Stabilisierung: Eigenschaften von Halbleiter-Dioden, Gleichrichtung, Spannungsstabilisierung
  2. Bipolartransistor, Emitterschaltung ohne Rückkopplung: Kennlinienfelder, Untersuchung einer Verstärkerstufe in Emitterschaltung
  3. Operationsverstärker: Kennwerte des OPV, Untersuchung verschiedener Grundschaltungen
  4. Digitale Schaltungen mit HCT-Bausteinen: Eigenschaften von Schaltkreisfamilien, kombinatorische und sequenzielle Schaltungen (Schloss, Würfel, Telefon-Besetztzeichen, Impulsdauermessung)
  5. Besuch des Zentrums für Mikrotechnologien: überblicksmäßige Darstellung der Schaltkreisherstellung von der Siliziumscheibe bis zur Verkappung, Reinstraumbedingungen

Studiengänge / -gruppen

  • Wahlpflichtfach im 4. und 5. Semester des Bachelor-Studiengangs Wirtschaftsingenieurwesen - Vertiefungsrichtung Elektrotechnik (B_IWET4 bzw. B_IWET5)

Zeitplan aktuelles Semester

LVWochentagSeminargruppenZeitOrtBeginn
Vmittwochs, 2. WoB_IWET511:30-13:00 UhrC25.36616.10.2024
Ümittwochs, 1. WoB_IWET511:30-13:00 UhrC25.36623.10.2024
Pmittwochs, 2. WoB_IWET507:30-10:45 UhrC25.368(16.10.2024)

Lehrmaterialien

Prüfung aktuelles Semester (Nach- / Wiederholer)

Termin:individuell
Raum:C25.322 (alt: 2/W322)
Typ:mündliche Prüfung, jeweils 30 min
Prüfer:DI Ramsbeck
Beisitzer:DI Loebel