Technische Ausstattung
Mikrostrukturanalyse, Werkstoffanalytik und Werkstoffcharakterisierung
Feldemissions-Rasterelektronenmikroskop NEON40EsB mit EDXS und EBSD
- Mikroskop
- Abbildung von Ober-, Schliff- bzw. Bruchflächen von:
- Ausgangsmaterialien (Pulver, Fasern, Folien)
- Werkstoffen, Verbundwerkstoffen und Werkstoffverbunden
- Beschichtungen
- Bauteilen
- Vergrößerungen: 50-fach bis 100.000-fach
- Detektoren:
- Kammerdetektor für Sekundärelektronen
- Kammerdetektor für Rückstreuelektronen
- Inlens-Detektor für Sekundärelektronen
- Inlens-Detektor für Rückstreuelektronen
- Hell- und Dunkelfelddetektor für transmittierte Elektronen
- Energiedispersive Röntgenmikrobereichsanalyse (EDXS) EDAX Genesis
- Lokale chemische Analyse an ebenen Flächen:
- für Elemente mit Ordnungzahl Z ≥ 8
- Nachweisgrenze ca. 0,5 Gew.-% für Z ≥ 11
- Quantifizierungsfehler ca. 2 Gew.-% für Hauptanteile
- Arten:
- Durchschnittsanalyse
- Phasenanalyse (für Teilchenabmessung > 1 µm)
- Elementkonzentrationsverteilung entlang einer Geraden (Linescan)
- Zweidimensionale Elementkonzentrationsverteilung (Mapping)
- Rückstreuelektronenbeugung (EBSD) EDAX TSL
- Analyse zur Orientierung von Körnern, Orientierungsmapping, Texturanalyse
- Identifikation von kristallinen Phasen, Phasenmapping
→ siehe auch Dienstleistung Analytische Rasterelektronenmikroskopie
Ansprechpartner
Dr.-Ing. Andreas Gester
- Telefon:+49 371 531-33649
- Fax:+49 371 531- 833649
- Raum:3, 3/A105
- E-Mail:
