Transmissionselektronenmikroskop HITACHI H8100 (200 kV, LaB6-Kathode, mit Raster-einheitfür Transmissions- und Oberflächenabbildung) mit Feinbereichs-Elektronenbeugung (SAED) und Röntgenmikrobereichsanalyse (EDXS / GENESIS)
- Untersuchung gedünnter Probenbereiche (Restdicke 30 - 300 nm) im Quer- oder Planschnitt von:
- Werkstoffen, Verbundwerkstoffen und Werkstoffverbunden
- Beschichtungen
- Vergrößerungsbereich: 1.000-fach bis 200.000-fach
- Aussagen zu:
- Kristallitgröße, -form, -orientierung,
- Gitterdefekten, Phasenidentifikation,
- Zustand innerer Grenzfl&&äuml;uml;chen
- Ortsauflösungsvermögen der Feinbereichselektronenbeugung: ca. 500 nm
- Ortsauflösungsvermögen der Röntgenmikrobereichsanalyse: ca. 50 nm
Untersuchungsmethodik (pdf-Datei - 770kb)
