Die TU Chemnitz in den Medien – Archiv

2024-09-13 | Blick

Chemnitz mischt beim Deutschen Zukunftspreis mit

Drei Forscher-Teams sind für den Deutschen Zukunftspreis nominiert. Die Technische Universität Chemnitz legt in Zusammenarbeit mit Infineon eine vielversprechende neue Halbleiter-Technologie vor.

2024-09-13 | elektroniknet.de

Infineon für Deutschen Zukunftspreis 2024 nominiert

Einem Entwickler-Team von Infineon ist es gemeinsam mit der Technischen Universität Chemnitz gelungen, den weltweit ersten SiC-MOSFET mit vertikalem Kanal (Trench-MOSFET) und innovativer Kupferkontaktierung in der 3300-V-Spannungsklasse zu entwickeln. Bei den SiC-Modulen und den darauf basierenden Stromrichtern soll es sich um einen Innovationssprung in der Halbleitertechnologie, weg von herkömmlichem Silizium hin zu energieeffizienterem Siliziumkarbid, handeln.

2024-09-12 | ScienceNews

Talking to a chatbot may weaken someone’s belief in conspiracy theories

Kennen Sie jemanden, der überzeugt ist, dass die Mondlandung gefälscht oder die COVID-19-Pandemie ein Schwindel war? Die Diskussion mit einem sympathischen Chatbot kann Menschen, die an diese und andere Verschwörungstheorien glauben, aus dem Kaninchenbau holen, berichten Forscher, darunter Prof. Dr. Jan-Philipp Stein, Inhaber der Professur Medienpsychologie der TU Chemnitz.

2024-09-12 | Maschinenmarkt

Diese Innovationen kämpfen um den deutschen Zukunftspreis

Die Infineon Technologies AG aus München erarbeitete mit der TU Chemnitz ein hocheffizientes Leistungshalbleiter-Modul, das zuverlässiger, schneller und leistungsstärker als bisher Strom in hohen Spannungsklassen schalten und so zur Energiewende beitragen soll. Der 3.300-Volt-Energiesparchip aus Siliziumkarbid mit neuartiger Kupferkontaktierung könne etwa in Zügen, Windkraftanlagen und überall dort zum Einsatz kommen, wo in Sekundenbruchteilen viel Strom geregelt werden müssen.

2024-09-12 | Elektronikpraxis

Diese Innovationen kämpfen um den deutschen Zukunftspreis

Die Infineon Technologies AG aus München erarbeitete mit der TU Chemnitz ein hocheffizientes Leistungshalbleiter-Modul, das zuverlässiger, schneller und leistungsstärker als bisher Strom in hohen Spannungsklassen schalten und so zur Energiewende beitragen soll. Der 3.300-Volt-Energiesparchip aus Siliziumkarbid mit neuartiger Kupferkontaktierung könne etwa in Zügen, Windkraftanlagen und überall dort zum Einsatz kommen, wo in Sekundenbruchteilen viel Strom geregelt werden müssen.

2024-09-12 | Focus Online

Außen glatt, innen aggressiv und radikal: Die Doppel-Strategie der AfD in Brandenburg

„Höcke sendet immer wieder mehr oder minder eindeutige Signale an die rechtsextreme Szene, um sie bei der Stange zu halten“, sagt der Politologe Benjamin Höhne von der Universität Chemnitz im Gespräch mit FOCUS online. Seiner Einschätzung nach ist die „Melange aus Rechtspopulismus und Rechtsextremismus ein Teil des Erfolgsrezepts der AfD im Osten“.

2024-09-12 | CIO

Das sind die nominierten Projekte für den Zukunftspreis

Die Infineon Technologies AG aus München erarbeitete mit der TU Chemnitz ein hocheffizientes Leistungshalbleiter-Modul, das zuverlässiger, schneller und leistungsstärker als bisher Strom in hohen Spannungsklassen schalten und so zur Energiewende beitragen soll. Der 3.300-Volt-Energiesparchip aus Siliziumkarbid mit neuartiger Kupferkontaktierung könne etwa in Zügen, Windkraftanlagen und überall dort zum Einsatz kommen, wo in Sekundenbruchteilen viel Strom geregelt werden müssen.

2024-09-12 | new-techeurope.com

Infineon nominated for “Deutscher Zukunftspreis” 2024 with innovative silicon carbide solution

A team of developers from Infineon, together with Chemnitz University of Technology, has succeeded in developing the world's first SiC MOSFET with a vertical channel (trench MOSFET) and innovative copper contacting in the 3300V voltage class.

2024-09-12 | bisinfotech.com

Infineon Nominated for 2024 Deutscher Zukunftspreis with Silicon Carbide Innovation

A team of developers from Infineon, together with Chemnitz University of Technology, has succeeded in developing the world's first SiC MOSFET with a vertical channel (trench MOSFET) and innovative copper contacting in the 3300V voltage class.

2024-09-12 | powerelectronicsworld.net

Infineon vertical SiC nominated for Deutscher Zukunftspreis

A team of developers from Infineon, together with Chemnitz University of Technology, has succeeded in developing the world's first SiC MOSFET with a vertical channel (trench MOSFET) and innovative copper contacting in the 3300V voltage class.